从晶圆制造到系统级可靠性的全流程仿真能力
半导体产业正从平面器件走向 3D 集成与先进封装，制造与封装工艺涉及电、热、力、湿及等离子体等多种物理过程的强耦合。依托 COMSOL Multiphysics 统一建模环境，我们提供从晶圆制造与前道制程、半导体器件设计、先进封装与封测、散热热管理到结构可靠性的完整链路仿真，覆盖 PCB 电磁兼容与功率器件电-热分析等电子应用，助力企业缩短研发周期、提升良率与产品可靠性。
核心仿真能力
晶圆制造与前道制程
等离子体刻蚀与沉积（ICP/CCP 反应器）、CVD 与外延生长、离子注入及真空系统分子流、光刻与激光加热、CMP 平坦化等工艺设备与过程仿真。
半导体器件设计
漂移-扩散方程与泊松方程耦合求解，模拟双极晶体管、MOSFET、IGBT、肖特基二极管、p-n 结、太阳能电池及 LED、激光二极管等光电子器件。
先进封装与 3D-IC
TSV/微凸点电-热-结构耦合、混合键合与回流焊应力、堆叠散热与翘曲控制。
芯片与功率器件热设计
结温、热阻与瞬态热响应分析，散热器、均热板与微流道优化。
PCB 电磁兼容与信号/电源完整性
高速互连信号完整性、电源分配网络、辐射发射与电磁兼容分析。
可靠性评估
焊点蠕变与电迁移、热循环疲劳、高温高湿（HAST）环境可靠性。
典型应用场景
晶圆制造与前道制程
等离子体刻蚀与沉积（ICP/CCP）、CVD 与外延、离子注入与真空分子流、CMP 平坦化的工艺设备与过程仿真。
半导体器件设计
漂移-扩散与泊松方程耦合求解，模拟 MOSFET、IGBT、双极晶体管、肖特基二极管、太阳能电池、LED 与激光二极管等光电子器件。
先进封装与 3D-IC
TSV/微凸点、混合键合与回流焊工艺的应力、翘曲与堆叠散热，2.5D/3D 封装翘曲与界面失效预测。
芯片与功率模块散热
AI/GPU 高算力芯片结温、IGBT 与功率器件电-热-结构耦合与热设计。
PCB 电磁兼容
高速互连信号与电源完整性、辐射发射、抗扰度与电磁兼容分析。
等离子体工艺仿真
ICP/CCP 刻蚀与沉积速率、均匀性及等离子体化学。
可靠性评估
焊点蠕变与电迁移、热循环疲劳、高温高湿（HAST）高加速应力试验。
器件与光电子仿真
双极晶体管、MOSFET、IGBT 及 LED、激光二极管的器件级建模与耦合分析。